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電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理

時(shí)間:2024-01-09 10:31:24 秀雯 試題 我要投稿
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電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理

  在學(xué)習(xí)和工作的日常里,我們很多時(shí)候都不得不用到試題,試題可以幫助參考者清楚地認(rèn)識(shí)自己的知識(shí)掌握程度。一份好的試題都是什么樣子的呢?下面是小編整理的電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理,僅供參考,歡迎大家閱讀。

電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理

  電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理 1

  1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度變化而變化;

  2、P型半導(dǎo)體又稱為空穴半型半導(dǎo)體;

  3、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負(fù)極的'接法叫做正偏;

  4、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負(fù)極的接法叫做反偏;

  5、PN結(jié)正向偏值時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài);

  6、PN結(jié)反向偏值時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài);

  7、硅二極管的正向電壓為0.7V,鍺管為0.3V;

  8、對(duì)于質(zhì)量良好的二極管,其正向電阻一般為幾百歐姆;

  9、穩(wěn)壓二極管廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓電源與限幅電路中;

  10、變?nèi)荻䴓O管的反向偏壓越大,其結(jié)電容越大;

  電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理 2

  1、肖特基二極管不是利用P型與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬—半導(dǎo)體結(jié)原理制作的;

  2、PNP與NPN型晶體管的工作原理相同,只是使用時(shí)電源連接極性不同;

  3、PNP型與NPN型晶體管都有集電極、基級(jí)和發(fā)射極三個(gè)電極;

  4、PNP型與NPN型晶體管都有集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)三個(gè)區(qū);

  5、晶體管三個(gè)電極間的關(guān)系為Ie=Ib+Ic;

  6、晶體管的三種工作狀態(tài)是截止、飽和與放大;

  7、晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)集電極與發(fā)射極之間相當(dāng)于開(kāi)路;

  8、晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)集電結(jié)與發(fā)射結(jié)并不是均為反偏;

  9、一般的,晶體管的`溫度升高后工作穩(wěn)定性將變差;

  10、晶體管的交流電流放大系數(shù)的值一般為20—200;

  電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理 3

  1、晶體管具有電流放大作用的內(nèi)部條件是基區(qū)很薄、集電結(jié)面積大;

  2、晶體管放大作用的`實(shí)質(zhì)是用一個(gè)小電流控制一個(gè)大電流;

  3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關(guān),會(huì)發(fā)生變化;

  4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié);

  5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護(hù)電阻封裝在一起構(gòu)成的;

  6、差分對(duì)管是將兩只性能參數(shù)相同的晶體管封裝在一起構(gòu)成的;

  7、達(dá)林頓管的放大系數(shù)很高,主要用于高增益放大電路等;

  8、場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類;

  9、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)不僅僅依靠溝道中的自由電子導(dǎo)電;

  10、場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線可分為四個(gè)區(qū)域;

  電子技術(shù)基礎(chǔ)試題整理 4

  硬件工程師的主要職責(zé)是什么?

  數(shù)字電路和模擬電路的區(qū)別。在硬件設(shè)計(jì)是應(yīng)該注意什么?

  總線是什么概念? 什么原理? 常用的總線有哪些?

  各種存儲(chǔ)器的詳細(xì)性能介紹、設(shè)計(jì)要點(diǎn)及選型.

  描述反饋電路的概念,列舉他們的應(yīng)用。

  反饋,就是在電子系統(tǒng)中,把輸出回路中的電量輸入到輸入回路中去。

  反饋的類型有:電壓串聯(lián)負(fù)反饋、電流串聯(lián)負(fù)反饋、電壓并聯(lián)負(fù)反饋、電流并聯(lián)負(fù)反饋。

  負(fù)反饋的優(yōu)點(diǎn):降低放大器的增益靈敏度,改變輸入電阻和輸出電阻,改善放大器的線性和非線性失真,有效地?cái)U(kuò)展放大器的通頻帶,自動(dòng)調(diào)節(jié)作用。

  電壓負(fù)反饋的特點(diǎn):電路的輸出電壓趨向于維持恒定。

  電流負(fù)反饋的特點(diǎn):電路的輸出電流趨向于維持恒定。

  有源濾波器和無(wú)源濾波器的區(qū)別

  無(wú)源濾波器:這種電路主要有無(wú)源元件R、L和C組成

  有源濾波器:集成運(yùn)放和R、C組成,具有不用電感、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。

  集成運(yùn)放的開(kāi)環(huán)電壓增益和輸入阻抗均很高,輸出電阻小,構(gòu)成有源濾波電路后還具有一定的電壓放大和緩沖作用。但集成運(yùn)放帶寬有限,所以目前的有源濾波電路的工作頻率難以做得很高。

  同步電路和異步電路的區(qū)別是什么?

  同步電路:存儲(chǔ)電路中所有觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端都接同一個(gè)時(shí)鐘脈沖源,因而所有觸發(fā)器的狀態(tài)的變化都與所加的時(shí)鐘脈沖信號(hào)同步。

  異步電路:電路沒(méi)有統(tǒng)一的時(shí)鐘,有些觸發(fā)器的時(shí)鐘輸入端與時(shí)鐘脈沖源相連,這有這些觸發(fā)器的狀態(tài)變化與時(shí)鐘脈沖同步,而其他的觸發(fā)器的狀態(tài)變化不與時(shí)鐘脈沖同步。

  什么是"線與"邏輯,要實(shí)現(xiàn)它,在硬件特性上有什么具體要求?

  將兩個(gè)門電路的輸出端并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)與邏輯的功能成為線與。

  在硬件上,要用OC門來(lái)實(shí)現(xiàn),同時(shí)在輸出端口加一個(gè)上拉電阻。

  由于不用OC門可能使灌電流過(guò)大,而燒壞邏輯門。

  上拉電阻阻值的選擇原則包括:

  1、從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大;電阻大,電流小。

  2、從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠。浑娮栊,電流大。

  3、對(duì)于高速電路,過(guò)大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮

  以上三點(diǎn),通常在1k到10k之間選取。對(duì)下拉電阻也有類似道理

  //OC門電路必須加上拉電阻,以提高輸出的搞電平值。

  OC門電路要輸出“1”時(shí)才需要加上拉電阻 不加根本就沒(méi)有高電平

  在有時(shí)我們用OC門作驅(qū)動(dòng)(例如 控制一個(gè) LED)灌電流工作時(shí)就可以不加上拉電阻

  OC門可以實(shí)現(xiàn)“線與”運(yùn)算

  OC門就是 集電極 開(kāi)路 輸出

  總之加上拉電阻能夠提高驅(qū)動(dòng)能力。

  如何解決亞穩(wěn)態(tài)。(飛利浦-大唐筆試)?

  亞穩(wěn)態(tài)是指觸發(fā)器無(wú)法在某個(gè)規(guī)定時(shí)間段內(nèi)達(dá)到一個(gè)可確認(rèn)的狀態(tài)。當(dāng)一個(gè)觸發(fā)器進(jìn)入亞穩(wěn)態(tài)時(shí),既無(wú)法預(yù)測(cè)該單元的輸出電平,也無(wú)法預(yù)測(cè)何時(shí)輸出才能穩(wěn)定在某個(gè)正確的電平上。在這個(gè)穩(wěn)定期間,觸發(fā)器輸出一些中間級(jí)電平,或者可能處于振蕩狀態(tài),并且這種無(wú)用的輸出電平可以沿信號(hào)通道上的各個(gè)觸發(fā)器級(jí)聯(lián)式傳播下去。

  解決方法:

  1 降低系統(tǒng)時(shí)鐘頻率

  2 用反應(yīng)更快的FF

  3 引入同步機(jī)制,防止亞穩(wěn)態(tài)傳播

  4 改善時(shí)鐘質(zhì)量,用邊沿變化快速的.時(shí)鐘信號(hào)

  關(guān)鍵是器件使用比較好的工藝和時(shí)鐘周期的裕量要大。亞穩(wěn)態(tài)寄存用d只是一個(gè)辦法,有時(shí)候通過(guò)not,buf等都能達(dá)到信號(hào)過(guò)濾的效果

  3. Nor Flash 和 Nand Flash的區(qū)別是什么?

  4. SDRAM/SRAM/SSRAM區(qū)別是什么? SDRAM、DDR ;SDRAM(125/133MHz)的PCB設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)與精華;

  SRAM:靜態(tài)RAM

  DRAM:動(dòng)態(tài)RAM

  SSRAM:Synchronous Static Random Access Memory同步靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。它的一種類型的SRAM。SSRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。這一點(diǎn)與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

  SDRAM:Synchronous DRAM同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

  如何在總體設(shè)計(jì)階段避免出現(xiàn)致命性錯(cuò)誤?

  晶振與時(shí)鐘系統(tǒng)原理設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)與精華;

  高速CPU和低速CPU的設(shè)計(jì)有什么其別?

  PCB設(shè)計(jì)中生產(chǎn)、加工工藝的相關(guān)要求

  高速PCB設(shè)計(jì)中的傳輸線問(wèn)題

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